Cina: scienziati presentano dispositivo di memoria flash più veloce al mondo

Shanghai, 17 apr 11:40 - (Xinhua) - Un team di ricerca cinese ha sviluppato un rivoluzionario dispositivo di memoria flash in grado di memorizzare dati alla velocità di un bit ogni 400 picosecondi, stabilendo un nuovo record per il dispositivo di memorizzazione a semiconduttore più veloce mai registrato.

Denominata "PoX", questa memoria non volatile supera anche le più veloci tecnologie di memoria volatile, che impiegano da 1 a 10 nanosecondi per memorizzare un bit di dati. Un picosecondo è un millesimo di nanosecondo o un trilionesimo di secondo.

Le memorie volatili come la SRAM e la DRAM, che perdono i dati in caso di perdita di potenza, non sono adatte ai sistemi a basso consumo, mentre le memorie non volatili come la flash, pur essendo efficienti dal punto di vista energetico, non riescono a soddisfare le esigenze di accesso ai dati ad alta velocità dell'IA.

I ricercatori della Fudan University hanno sviluppato una memoria flash bidimensionale a canale di grafene Dirac utilizzando un meccanismo innovativo, che ha infranto i limiti di velocità di archiviazione e accesso alle informazioni non volatili.

I risultati sono stati pubblicati ieri sulla rivista "Nature".

"Utilizzando algoritmi di intelligenza artificiale per ottimizzare le condizioni di prova del processo, abbiamo fatto progredire in modo significativo questa innovazione e aperto la strada alle sue applicazioni future", ha dichiarato Zhou Peng, ricercatore principale dello studio della Fudan University.

"Si tratta di un lavoro originale e la novità è sufficiente per progettare la futura memoria flash potenziale ad alta velocità", ha commentato il revisore della rivista. (Xin)© Xinhua